Транзистор IPL60R180P6
IPL60R180P6 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: ThinPAK8X8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 176 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 22.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.18 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 7.6 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 89 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IPL60R180P6 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPP60R160P6 |
PTH |
N |
176 |
600 |
20 |
4.5 |
23.8 |
0.16 |
- |
7.6 |
89 |
150 |
TO-220 |
| IPW60R160P6 |
PTH |
N |
176 |
600 |
20 |
4.5 |
23.8 |
0.16 |
- |
7.6 |
89 |
150 |
TO-247 |