Транзистор IPL60R650P6S
IPL60R650P6S - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: ThinPAK5X6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 56.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6.7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.65 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 7 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 28 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IPL60R650P6S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPD60R600P6 |
SMD |
N |
63 |
600 |
20 |
4.5 |
7.3 |
0.6 |
- |
7 |
28 |
150 |
TO-252 |
| IPP60R600P6 |
PTH |
N |
63 |
600 |
20 |
4.5 |
7.3 |
0.6 |
- |
7 |
28 |
150 |
TO-220 |