Транзистор IPL65R310E6
IPL65R310E6 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: ThinPAK8X8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 104 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 13.1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.31 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 60 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IPL65R310E6 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPD65R250E6 |
SMD |
N |
208 |
650 |
20 |
3.5 |
16.1 |
0.25 |
- |
9 |
60 |
150 |
TO-252 |
| IPI65R280E6 |
PTH |
N |
104 |
650 |
20 |
3.5 |
13.8 |
0.28 |
- |
9 |
60 |
150 |
TO-262 |