Справочник электронных компонентов

Транзистор IPL65R340CFD

IPL65R340CFD - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: ThinPAK8X8

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 104 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 10.9 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.34 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 7.5 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 55 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IPL65R340CFD можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IPB65R310CFD	SMD	N	104.2	650	20	4.5	11.4	0.31	-	7.5	55	150	TO-263
IPB65R310CFDA	SMD	N	104.2	650	20	4.5	11.4	0.31	-	7.5	55	150	TO-263
IPI65R310CFD	PTH	N	104.2	650	20	4.5	11.4	0.31	-	7.5	55	150	TO-262
IPP65R310CFD	PTH	N	104.2	650	20	4.5	11.4	0.31	-	7.5	55	150	TO-220
IPP65R310CFDA	PTH	N	104.2	650	20	4.5	11.4	0.31	-	7.5	55	150	TO-220
IPW65R310CFD	SMD	N	104.2	650	20	4.5	11.4	0.31	-	7.5	55	150	TO-263