Справочник электронных компонентов

Транзистор IPP045N10N3G

IPP045N10N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IPP045N10N3G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AUIRLB4030 PTH N 370 100 16 - 180 0.0043 87 - - - TO-220AB
AUIRLS4030 SMD N 370 100 16 2.5 180 0.0043 87 - - 175 D2PAK
CSD19535KCS PTH N 300 100 20 3.4 150 0.0036 78 15 1160 175 TO-220
CSD19535KTT SMD N 300 100 20 3.4 197 0.0034 75 18 1160 175 D2PAK
FDI045N10A PTH N 263 100 20 4 120 0.0045 74 - - 175 TO-262
FDI045N10A_F102 PTH N 263 100 20 - 164 0.0045 57 - - 175 TO-262
FDP045N10A PTH N 263 100 20 4 120 0.0045 74 - - 175 TO-220
FDP045N10A_F102 PTH N 263 100 20 - 164 0.0045 57 - - 175 TO-220
IPB039N10N3G SMD N 214 100 - - 160 0.0039 88 - - - D2PAK
IPB042N10N3G SMD N 214 100 - - 100 0.0042 88 - - - D2PAK
IPI045N10N3G PTH N 214 100 - - 100 0.0045 88 - - - I2PAK
IRLB4030 PTH N 370 100 16 - 180 0.0043 87 - - - TO-220AB
IRLS4030 SMD N 370 100 16 2.5 180 0.0043 87 - - 175 D2PAK
IRLSL4030 PTH N 370 100 16 - 180 0.0043 87 - - - TO-262