Транзистор IPP65R095C7
IPP65R095C7 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 128 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 24 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.095 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 33 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IPP65R095C7 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPB65R095C7 |
SMD |
N |
128 |
650 |
20 |
4 |
24 |
0.095 |
- |
12 |
33 |
150 |
TO-263 |
| IPW65R095C7 |
PTH |
N |
128 |
650 |
20 |
4 |
24 |
0.095 |
- |
12 |
33 |
150 |
TO-247 |
| IPZ65R095C7 |
PTH |
N |
128 |
650 |
20 |
4 |
24 |
0.095 |
- |
8 |
33 |
150 |
TO-247-4 |