Транзистор IPP65R110CFDA
IPP65R110CFDA - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 277.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 31.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.11 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 118 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 160 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IPP65R110CFDA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPB65R110CFD |
SMD |
N |
277.8 |
650 |
20 |
4.5 |
31.2 |
0.11 |
118 |
11 |
160 |
150 |
TO-263 |
| IPB65R110CFDA |
SMD |
N |
277.8 |
650 |
20 |
4.5 |
31.2 |
0.11 |
118 |
11 |
160 |
150 |
TO-263 |
| IPI65R110CFD |
PTH |
N |
277.8 |
650 |
20 |
4.5 |
31.2 |
0.11 |
118 |
11 |
160 |
150 |
TO-262 |
| IPP65R110CFD |
PTH |
N |
277.8 |
650 |
20 |
4.5 |
31.2 |
0.11 |
118 |
11 |
160 |
150 |
TO-220 |
| IPW65R110CFD |
PTH |
N |
277.8 |
650 |
20 |
4.5 |
31.2 |
0.11 |
118 |
11 |
160 |
150 |
TO-247 |
| IPW65R110CFDA |
PTH |
N |
277.8 |
650 |
20 |
4.5 |
31.2 |
0.11 |
118 |
11 |
160 |
150 |
TO-247 |