Транзистор IPS0151S
IPS0151S - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 47 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 7 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.025 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 30 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 200 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IPS0151S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM7360N |
SMD |
N |
3.5 |
60 |
20 |
1 |
11 |
0.022 |
20 |
25 |
- |
150 |
DFN3X3-8L |
| AM7462N |
SMD |
N |
5 |
60 |
20 |
1 |
13 |
0.022 |
20 |
24 |
174 |
150 |
DFN5X6-8L |
| AM7468N |
SMD |
N |
5 |
60 |
20 |
1 |
15 |
0.017 |
21 |
51 |
182 |
150 |
DFN5X6-8L |
| NVMFS5826NL |
SMD |
N |
3.6 |
60 |
20 |
2.5 |
26 |
0.024 |
9.1 |
32 |
85 |
175 |
SO-8FL |
| NVMFS5844NL |
SMD |
N |
3.7 |
60 |
20 |
2.3 |
11.2 |
0.012 |
30 |
25 |
150 |
175 |
DFN5X6 |
| NVMFS5885NL |
SMD |
N |
3.7 |
60 |
20 |
2.5 |
10.2 |
0.015 |
12 |
64 |
125 |
175 |
DFN5X6 |
| NVMFS5C670NL |
SMD |
N |
3.6 |
60 |
20 |
2 |
17 |
0.0061 |
9 |
60 |
690 |
175 |
DFN5X6 |
| STL40N75LF3 |
SMD |
N |
4.8 |
75 |
16 |
1 |
10 |
0.019 |
12 |
25 |
228 |
175 |
PowerFLAT5X6 |