Транзистор IPS09N03LA
IPS09N03LA - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 63 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0088 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 10 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5.6 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 474 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IPS09N03LA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPD09N03LA |
SMD |
N |
63 |
25 |
20 |
2 |
50 |
0.0086 |
10 |
5.6 |
474 |
175 |
TO-252 |
| IPF09N03LA |
SMD |
N |
63 |
25 |
20 |
2 |
50 |
0.0088 |
10 |
5.6 |
474 |
175 |
TO-252 |
| IPU09N03LA |
PTH |
N |
63 |
25 |
20 |
2 |
50 |
0.0088 |
10 |
5.6 |
474 |
175 |
TO-251 |