Транзистор IPT020N10N3

IPT020N10N3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: HSOF-8

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 375 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 300 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.002 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 156 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 58 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2010 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор IPT020N10N3 можно заменить на:

Нет элементов для замены