Транзистор IPU60R2K1CE
IPU60R2K1CE - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 22 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 7 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 12 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IPU60R2K1CE можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPD60R2K1CE |
SMD |
N |
22 |
600 |
20 |
3.5 |
2.3 |
2.1 |
- |
7 |
12 |
150 |
TO-252 |
| IPU60R2K0C6 |
PTH |
N |
22.3 |
600 |
20 |
3.5 |
2.4 |
2 |
- |
7 |
12 |
150 |
TO-251 |