Справочник электронных компонентов

Транзистор IPW60R041C6

IPW60R041C6 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IPW60R041C6 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
FCH041N60E PTH N 592 600 20 3.5 77 0.041 285 - - 150 TO-247
IPW60R041P6 PTH N 481 600 20 4.5 77.5 0.041 170 27 310 150 TO-247
IXFH80N65X2 PTH N 890 650 30 5.5 80 0.04 143 42 5510 150 TO-247
IXFK100N65X2 PTH N 1040 650 30 5.5 100 0.03 180 24 6000 150 TO-264P
IXFK120N65X2 PTH N 1250 650 30 5.5 120 0.024 225 23 9000 150 TO-264P
IXFK90N60X PTH N 1100 600 30 4.5 90 0.038 210 22 6300 150 TO-264P
IXFX100N65X2 PTH N 1040 650 30 5.5 100 0.03 180 24 6000 150 PLUS247
IXFX120N65X2 PTH N 1250 650 30 5.5 120 0.024 225 23 9000 150 PLUS247
IXFX90N60X PTH N 1100 600 30 4.5 90 0.038 210 22 6300 150 PLUS247
IXTH80N65X2 PTH N 890 650 30 4.5 80 0.04 144 25 5208 150 TO-247
IXTK102N65X2 PTH N 1040 650 30 5 102 0.03 152 28 6100 150 TO-264P
IXTK120N65X2 PTH N 1250 650 30 4.5 120 0.024 240 18 9920 150 TO-264P
IXTX102N65X2 PTH N 1040 650 30 5 102 0.03 152 28 6100 150 PLUS247
IXTX120N65X2 PTH N 1250 650 30 4.5 120 0.024 240 18 9920 150 PLUS247
STE88N65M5 Модуль N 494 650 25 5 88 0.029 204 16 223 150 ISOTOP