Транзистор IPW65R150CFD
IPW65R150CFD - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-247
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 195.3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 22.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.15 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 7.6 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 110 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IPW65R150CFD можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPB65R150CFD |
SMD |
N |
195.3 |
650 |
20 |
4.5 |
22.4 |
0.15 |
- |
7.6 |
110 |
150 |
TO-263 |
| IPB65R150CFDA |
SMD |
N |
195.3 |
650 |
20 |
4.5 |
22.4 |
0.15 |
- |
7.6 |
110 |
150 |
TO-263 |
| IPI65R150CFD |
PTH |
N |
195.3 |
650 |
20 |
4.5 |
22.4 |
0.15 |
- |
7.6 |
110 |
150 |
TO-262 |
| IPP65R150CFD |
PTH |
N |
195.3 |
650 |
20 |
4.5 |
22.4 |
0.15 |
- |
7.6 |
110 |
150 |
TO-220 |
| IPP65R150CFDA |
PTH |
N |
195.3 |
650 |
20 |
4.5 |
22.4 |
0.15 |
- |
7.6 |
110 |
150 |
TO-220 |
| IPW65R150CFDA |
PTH |
N |
195.3 |
650 |
20 |
4.5 |
22.4 |
0.15 |
- |
7.6 |
110 |
150 |
TO-247 |