Транзистор IRF1010H
IRF1010H - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 140 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 84 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0085 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 58 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 90 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 420 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IRF1010H можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK7Y6R0-60E |
SMD |
N |
195 |
60 |
20 |
4 |
100 |
0.006 |
45.4 |
19 |
392 |
175 |
LFPAK56 |
| BUK7Y7R2-60E |
SMD |
N |
167 |
60 |
20 |
4 |
100 |
0.0072 |
50.8 |
18.3 |
351 |
175 |
LFPAK56 |
| IRF1010A |
PTH |
N |
140 |
60 |
20 |
4 |
84 |
0.0085 |
58 |
90 |
420 |
175 |
TO-220AB |
| PSMN7R6-60BS |
SMD |
N |
149 |
60 |
20 |
4 |
92 |
0.0078 |
38.7 |
21 |
342 |
175 |
D2PAK |