Транзистор IRF1302S
IRF1302S - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 200 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 174 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.004 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 79 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 130 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2370 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IRF1302S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK763R4-30 |
SMD |
N |
255 |
30 |
20 |
4 |
198 |
0.0034 |
75 |
64 |
1249 |
175 |
D2PAK |
| KRF1302S |
SMD |
N |
200 |
20 |
20 |
4 |
174 |
0.004 |
79 |
130 |
2370 |
175 |
TO-263 |