Справочник электронных компонентов

Транзистор IRF13N50

IRF13N50 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220AB

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 250 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 14 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.45 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 81 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 39 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 290 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRF13N50 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IRFB13N50A	PTH	N	250	500	30	4	14	0.45	81	39	290	150	TO-220AB
IRFB13N50APBF	PTH	N	250	500	30	4	14	0.45	81	39	290	150	TO-220AB
KDB15N50	SMD	N	300	500	30	4	15	0.38	33	5.4	230	175	TO-263
SIHFB13N50A	PTH	N	250	500	30	4	14	0.45	81	39	290	150	TO-220AB
SIHG25N50E	PTH	N	250	500	30	4	26	0.145	57	36	105	150	TO-247AC
SIHP25N50E	PTH	N	250	500	30	4	26	0.145	57	36	105	150	TO-220AB