Справочник электронных компонентов

Транзистор IRF2804SPBF

IRF2804SPBF - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-263

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.002 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 160 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 120 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1690 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор IRF2804SPBF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
BUK751R8-40E	PTH	N	349	40	20	4	120	0.0018	145	60	1620	175	TO-220AB
BUK761R5-40E	SMD	N	349	40	20	4	120	0.00151	145	60	1620	175	D2PAK
BUK761R6-40E	SMD	N	349	40	20	4	120	0.00157	145	60	1620	175	D2PAK
BUK761R7-40E	SMD	N	324	40	20	4	120	0.0016	118	49	1376	175	D2PAK
BUK7E1R8-40E	PTH	N	349	40	20	4	120	0.0018	145	60	1620	175	I2PAK
BUK7E1R9-40E	PTH	N	324	40	20	4	120	0.0019	118	49	1376	175	I2PAK
IRF2804LPBF	PTH	N	300	40	20	4	75	0.002	160	120	1690	175	TO-262