Справочник электронных компонентов

Транзистор IRF2807ZS

IRF2807ZS - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 170 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 75 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 89 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0094 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 71 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор IRF2807ZS можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
BUK7Y7R8-80E	SMD	N	238	80	20	4	100	0.0078	63.3	25	395	175	LFPAK56
FDBL0630N150	SMD	N	500	150	20	4	169	0.005	70	-	-	175	H-PSOF8L
FDP085N10A	PTH	N	188	100	20	4	96	0.0085	40	-	-	175	TO-220
IRF2807Z	PTH	N	170	75	20	4	89	0.0094	71	-	-	175	TO-220AB
IRF2807ZL	PTH	N	170	75	20	4	89	0.0094	71	-	-	175	TO-262
PSMN6R5-80BS	SMD	N	210	80	20	4	100	0.0069	61	24	410	175	D2PAK
PSMN6R5-80PS	PTH	N	210	80	20	4	100	0.0069	71	-	-	175	TO-220AB
PSMN8R7-80BS	SMD	N	170	80	20	4	90	0.0087	44	26	296	175	D2PAK
PSMN8R7-80PS	PTH	N	170	80	20	4	90	0.0087	52	-	-	175	TO-220AB