Справочник электронных компонентов

Транзистор IRF3610S

IRF3610S - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 333 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 103 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0116 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 100 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор IRF3610S можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FDB035N10A	SMD	N	333	100	20	4	125	0.0035	89	-	-	175	TO-263
FDBL0630N150	SMD	N	500	150	20	4	169	0.005	70	-	-	175	H-PSOF8L
FDH055N15A	PTH	N	429	150	20	4	118	0.0059	92	-	-	175	TO-247,TO-3P,TO-3PF
FDP036N10A	PTH	N	333	100	20	4	125	0.0036	89	-	-	175	TO-220
FDP075N15A	PTH	N	333	150	20	4	120	0.0075	100	-	-	175	TO-220
IRF3610SPBF	SMD	N	333	100	20	4	103	0.0116	100	55	690	175	TO-263