Справочник электронных компонентов

Транзистор IRF4104S

IRF4104S - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 140 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 120 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0055 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 68 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор IRF4104S можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AUIRF4104	PTH	N	140	40	20	4	120	0.0055	68	-	-	175	TO-220AB
AUIRF4104S	SMD	N	140	40	20	4	120	0.0055	68	-	-	175	D2PAK
AUIRFR4104	SMD	N	140	40	20	4	119	0.0055	59	-	-	175	DPAK
AUIRFU4104	PTH	N	140	40	20	4	119	0.0055	59	-	-	175	IPAK
IRF4104	PTH	N	140	40	20	4	120	0.0055	68	-	-	175	TO-220AB
IRFR4104	SMD	N	140	40	20	4	119	0.0055	59	-	-	175	DPAK
IRFU4104	PTH	N	140	40	20	4	119	0.0055	59	-	-	175	IPAK
MM137N04K	PTH	N	150	40	20	4	137	0.004	64	37	648	175	TO-220