Справочник электронных компонентов

Транзистор IRF4104SPBF

IRF4104SPBF - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-263

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 140 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0055 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 68 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 130 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 660 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор IRF4104SPBF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
BUK764R0-40E	SMD	N	182	40	20	4	75	0.004	54	20	634	175	D2PAK
BUK7Y3R5-40E	SMD	N	167	40	20	4	100	0.0035	49.4	24.9	514	175	LFPAK56
BUK7Y4R4-40E	SMD	N	147	40	20	4	100	0.0044	39	18	444	175	LFPAK56
IRF4104L	PTH	N	140	40	20	4	75	0.0055	68	130	660	175	TO-262
IRF4104LPBF	PTH	N	140	40	20	4	75	0.0055	68	130	660	175	TO-262
IRF4104PBF	PTH	N	140	40	20	4	75	0.0055	68	130	660	175	TO-220AB
MM137N04K	PTH	N	150	40	20	4	137	0.004	64	37	648	175	TO-220
PSMN4R5-40BS	SMD	N	148	40	20	4	100	0.0045	35	23	660	175	D2PAK
PSMN4R6-60BS	SMD	N	211	60	20	4	100	0.0044	63	24	567	175	D2PAK