Справочник электронных компонентов

Транзистор IRF4905S

IRF4905S - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 200 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 74 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 120 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRF4905S можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AM90P06-08P	PTH	P	300	60	20	1	90	0.012	105	40	592	175	TO-220AB
AP9571GP-HF	PTH	P	250	60	20	-	105	0.0125	63	54	940	150	TO-220
AP9571GS-HF	SMD	P	250	60	20	-	105	0.0125	63	54	940	150	TO-263
AP9581GP-HF	PTH	P	250	80	20	-	95	0.015	72	60	900	150	TO-220
AP9581GS-HF	SMD	P	250	80	20	-	95	0.015	72	60	900	150	TO-263
AUIRF4905	PTH	P	200	55	20	4	74	0.02	120	-	-	175	TO-220AB
AUIRF4905L	PTH	P	200	55	20	4	74	0.02	120	-	-	150	TO-262
AUIRF4905S	SMD	P	200	55	20	4	74	0.02	120	-	-	150	D2PAK
IRF4905L	PTH	P	200	55	10	-	74	0.02	120	-	-	150	TO-262