Транзистор IRF510STRLPBF
IRF510STRLPBF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 43 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.54 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 16 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 81 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IRF510STRLPBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK7Y113-100E |
SMD |
N |
45 |
100 |
20 |
4 |
12 |
0.113 |
10.4 |
5.9 |
72 |
175 |
LFPAK56 |
| IRF510STRRPBF |
SMD |
N |
43 |
100 |
20 |
4 |
5.6 |
0.54 |
- |
16 |
81 |
175 |
TO-263 |
| SIHF510S |
SMD |
N |
43 |
100 |
20 |
4 |
5.6 |
0.54 |
8.3 |
16 |
81 |
175 |
TO-263 |