Транзистор IRF520NS
IRF520NS - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 47 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 16.7 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRF520NS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDD120AN15A0 |
SMD |
N |
65 |
150 |
20 |
4 |
14 |
0.12 |
11.2 |
- |
- |
175 |
TO-252 |
| FDD86252 |
SMD |
N |
89 |
150 |
20 |
4 |
27 |
0.052 |
11.3 |
- |
- |
150 |
TO-252 |
| FDMS86252 |
SMD |
N |
69 |
150 |
20 |
4 |
16 |
0.051 |
11 |
- |
- |
150 |
Power56 |
| FQB13N10 |
SMD |
N |
65 |
100 |
25 |
4 |
12.8 |
0.18 |
12 |
55 |
100 |
175 |
D2PAK |
| FQP13N10 |
PTH |
N |
65 |
100 |
25 |
4 |
12.8 |
0.18 |
12 |
- |
- |
175 |
TO-220 |
| PSMN069-100YS |
SMD |
N |
56 |
100 |
20 |
4 |
17 |
0.0724 |
14 |
- |
- |
175 |
LFPAK |
| PSMN075-100MSE |
SMD |
N |
65 |
100 |
20 |
4 |
18 |
0.071 |
16.4 |
5.8 |
66 |
175 |
LFPAK33 |
| STD10NF10-1 |
PTH |
N |
50 |
100 |
20 |
4 |
13 |
0.13 |
15.3 |
25 |
70 |
175 |
IPAK |
| STD10NF10T4 |
SMD |
N |
50 |
100 |
20 |
4 |
13 |
0.13 |
15.3 |
25 |
70 |
175 |
DPAK |