IRF5210PBF - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220AB
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 200 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 40 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.06 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 180 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 86 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 790 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IRF5210PBF можно заменить на:
Нет элементов для замены