Справочник электронных компонентов

Транзистор IRF5210S

IRF5210S - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 200 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 40 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.06 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 120 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRF5210S можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IRF5210L	PTH	P	200	100	20	4	40	0.06	120	-	-	175	TO-262
IXTA52P10P	SMD	P	300	100	20	4.5	52	0.05	60	120	-	150	TO-263
IXTH52P10P	PTH	P	300	100	20	4.5	52	0.05	60	120	-	150	TO-247
IXTH90P10P	PTH	P	462	100	20	4	90	0.025	120	144	-	175	TO-247
IXTP52P10P	PTH	P	300	100	20	4.5	52	0.05	60	120	-	150	TO-220
IXTQ52P10P	PTH	P	300	100	20	4.5	52	0.05	60	120	-	150	TO-3P
IXTT90P10P	SMD	P	462	100	20	4	90	0.025	120	144	-	150	TO-268
MTB050P10E3	PTH	P	200	100	20	-	40	0.046	45	16.4	227	175	TO-220
MTB050P10F3	SMD	P	200	100	20	-	40	0.046	45	16.4	227	175	TO-263