Транзистор IRF5210SPBF
IRF5210SPBF - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 170 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 38 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.06 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 150 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 63 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 800 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRF5210SPBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRF5210LPBF |
PTH |
P |
170 |
100 |
20 |
4 |
38 |
0.06 |
150 |
63 |
800 |
150 |
TO-262 |