Транзистор IRF5305SPBF
IRF5305SPBF - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 110 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 31 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.06 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 63 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 66 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 520 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IRF5305SPBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRF5305LPBF |
PTH |
P |
110 |
55 |
20 |
4 |
31 |
0.06 |
63 |
66 |
520 |
175 |
TO-262 |
| IRF5305PBF |
PTH |
P |
110 |
55 |
20 |
4 |
31 |
0.06 |
63 |
66 |
520 |
175 |
TO-220AB |