Справочник электронных компонентов

Транзистор IRF530N

IRF530N - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IRF530N можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
BUK7Y53-100B SMD N 85 100 20 4 24.8 0.053 22 - - 175 LFPAK
FDB3682 SMD N 95 100 20 4 32 0.036 18.5 - - 175 TO-263
FDD2582 SMD N 95 150 20 4 21 0.066 19 - - 175 TO-252
FDD3672 SMD N 135 100 20 4 44 0.028 24 - - 175 TO-252
FDD86252 SMD N 89 150 20 4 27 0.052 11.3 - - 150 TO-252
IRF530NL PTH N 79 100 10 4 17 0.11 24.7 - - 150 TO-262
IRF530NS SMD N 79 100 20 4 17 0.11 24.7 - - 150 D2PAK
KDB3672 SMD N 120 100 20 4 44 0.028 24 59 247 175 TO-263
KDB3682 SMD N 95 100 20 4 32 0.036 18.5 46 190 175 TO-263
PHB18NQ10T SMD N 79 100 20 4 18 0.09 21 - - 175 D2PAK
PHP23NQ11T PTH N 100 110 20 4 23 0.07 22 - - 175 TO-220AB
PHP28NQ15T PTH N 150 150 20 4 28.5 0.065 24 - - 175 TO-220AB
PSMN034-100BS SMD N 86 100 20 4 32 0.0345 23.8 10 94 175 D2PAK
PSMN034-100PS PTH N 86 100 20 4 32 0.0345 23.8 - - 175 TO-220AB
SUM23N15-73 SMD N 100 150 20 4 23 0.073 22 60 160 175 TO-263