Транзистор IRF530NSPBF
IRF530NSPBF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 70 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 17 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.09 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 37 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 22 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 130 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IRF530NSPBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRF530NPBF |
PTH |
N |
70 |
100 |
20 |
4 |
17 |
0.09 |
37 |
22 |
130 |
175 |
TO-220AB |
| NVD6416AN |
SMD |
N |
71 |
100 |
20 |
4 |
17 |
0.081 |
20 |
22 |
110 |
175 |
DPAK |
| PSMN027-100BS |
SMD |
N |
103 |
100 |
20 |
4 |
37 |
0.0268 |
30 |
11.4 |
115 |
175 |
D2PAK |
| PSMN034-100BS |
SMD |
N |
86 |
100 |
20 |
4 |
32 |
0.0345 |
23.8 |
10 |
94 |
175 |
D2PAK |
| PSMN040-100MSE |
SMD |
N |
91 |
100 |
20 |
4 |
30 |
0.0366 |
30 |
14.1 |
110 |
175 |
LFPAK33 |