Транзистор IRF530S
IRF530S - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 88 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 14 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.16 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 26 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 34 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 250 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IRF530S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| KDB2572 |
SMD |
N |
135 |
150 |
20 |
4 |
29 |
0.054 |
26 |
14 |
183 |
175 |
TO-263 |
| KDD2572 |
SMD |
N |
135 |
150 |
20 |
4 |
29 |
0.054 |
26 |
14 |
183 |
175 |
TO-252 |
| SIHF530S |
SMD |
N |
88 |
100 |
20 |
4 |
14 |
0.16 |
26 |
34 |
250 |
175 |
TO-263 |