Транзистор IRF5800

IRF5800 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TSOP-6

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.085 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 11.4 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 94 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRF5800 можно заменить на: