Транзистор IRF5801PBF-1

IRF5801PBF-1 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TSOP-6

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.6 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.2 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 3.9 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 8 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 18 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRF5801PBF-1 можно заменить на:

Нет элементов для замены