Транзистор IRF5802
IRF5802 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSOP-6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IRF5802 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRF7464 |
SMD |
N |
2.5 |
200 |
30 |
5.5 |
1.2 |
0.73 |
9.5 |
9.5 |
52 |
150 |
SO-8 |
| IRF7464PBF |
SMD |
N |
2.5 |
200 |
30 |
5.5 |
1.2 |
0.73 |
9.5 |
9.5 |
52 |
150 |
SO-8 |
| IRF7465PBF |
SMD |
N |
2.5 |
150 |
30 |
5.5 |
1.9 |
0.28 |
10 |
1.2 |
80 |
150 |
SO-8 |
| RCD040N25TL |
SMD |
N |
20 |
250 |
30 |
5.5 |
4 |
1 |
9 |
15 |
30 |
150 |
SC-63 |