Транзистор IRF5805PBF
IRF5805PBF - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSOP-6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.098 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 11 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 14 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 79 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRF5805PBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| QM4001S |
SMD |
P |
2.5 |
40 |
20 |
2.5 |
6 |
0.065 |
5.8 |
8 |
69 |
150 |
SOP-8 |
| SQ2319ES |
SMD |
P |
3 |
40 |
20 |
2.5 |
4.6 |
0.075 |
10.5 |
11 |
76 |
175 |
TO-236 |
| STS5P3LLH6 |
SMD |
P |
2.7 |
30 |
20 |
2.5 |
5 |
0.056 |
6 |
5 |
79 |
150 |
SO-8 |