Транзистор IRF5806PBF

IRF5806PBF - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TSOP-6

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.2 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.086 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 8.3 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 27 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 114 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRF5806PBF можно заменить на:

Нет элементов для замены