Транзистор IRF5N4905
IRF5N4905 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMD1
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 55 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.024 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 195 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 165 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1312 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRF5N4905 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SPP80P06P |
PTH |
P |
340 |
60 |
20 |
4 |
80 |
0.023 |
115 |
18 |
1252 |
175 |
TO-220-3 |
| SPP80P06PG |
PTH |
P |
340 |
60 |
20 |
4 |
80 |
0.023 |
115 |
18 |
1252 |
175 |
TO-220-3 |