Транзистор IRF640NS
IRF640NS - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 150 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 18 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.15 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 44.7 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IRF640NS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRF640NL |
PTH |
N |
150 |
200 |
20 |
4 |
18 |
0.15 |
44.7 |
- |
- |
175 |
TO-262 |
| PHB33NQ20T |
SMD |
N |
230 |
200 |
20 |
4 |
32.7 |
0.077 |
32.2 |
- |
- |
175 |
D2PAK |
| PHP33NQ20T |
PTH |
N |
230 |
200 |
20 |
4 |
32.7 |
0.077 |
32.2 |
- |
- |
175 |
TO-220AB |
| SUM27N20-78 |
SMD |
N |
150 |
200 |
20 |
4 |
27 |
0.078 |
40 |
35 |
215 |
175 |
TO-263 |