Транзистор IRF7353D2PBF
IRF7353D2PBF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.029 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 22 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 8.9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 320 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRF7353D2PBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM4404N |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
1 |
16 |
0.0085 |
10 |
6 |
159 |
150 |
SO-8 |
| AM7402N |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
1 |
20 |
0.0085 |
10 |
6 |
156 |
150 |
DFN5X6-8L |
| AM7460N |
SMD |
N |
5 |
60 |
20 |
1 |
12 |
0.026 |
9 |
6 |
85 |
150 |
DFN5X6-8L |
| AM7632N |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
1 |
12 |
0.013 |
10 |
6 |
156 |
150 |
DFN3X3-8PP |