Транзистор IRF7475PBF
IRF7475PBF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 12 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.015 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 13 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 33 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1310 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRF7475PBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD17522Q5A |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2 |
16 |
0.0081 |
3.6 |
12 |
390 |
150 |
SON5X6 |
| CSD17527Q5A |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2 |
13 |
0.0108 |
2.8 |
8.2 |
286 |
150 |
SON5X6 |