Транзистор IRF7476PBF
IRF7476PBF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 12 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.9 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.008 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 26 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 29 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2190 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRF7476PBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD16403Q5A |
SMD |
N |
3.1 |
25 |
16 |
1.9 |
28 |
0.0028 |
13.3 |
27 |
1600 |
150 |
SON5X6 |
| CSD16407Q5 |
SMD |
N |
3.1 |
25 |
16 |
1.9 |
31 |
0.0024 |
13.3 |
29 |
1600 |
150 |
SON5X6 |
| CSD16413Q5A |
SMD |
N |
3.1 |
25 |
16 |
1.9 |
24 |
0.0039 |
9 |
27 |
1060 |
150 |
SON5X6 |
| CSD17553Q5A |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
1.9 |
23.5 |
0.0031 |
17.5 |
17 |
635 |
150 |
SON5X6 |
| CSD17555Q5A |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
1.9 |
24 |
0.0027 |
23 |
18 |
949 |
150 |
SON5X6 |