Транзистор IRF7477
IRF7477 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 14 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0085 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 25 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9.8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1120 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRF7477 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRF7477PBF |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.5 |
14 |
0.0085 |
25 |
9.8 |
1120 |
150 |
SO-8 |
| RS1E170GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
17 |
0.0067 |
12 |
4.8 |
240 |
150 |
HSOP8 |
| RS1E200GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
20 |
0.0046 |
16.8 |
7.2 |
275 |
150 |
HSOP8 |
| RS1E240GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
24 |
0.0033 |
23 |
7.8 |
375 |
150 |
HSOP8 |
| RS1G180MN |
SMD |
N |
3 |
40 |
20 |
2.5 |
18 |
0.007 |
19.5 |
8.9 |
307 |
150 |
HSOP8 |