Транзистор IRF7478QPBF
IRF7478QPBF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.026 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 21 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 2.6 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 300 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRF7478QPBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRF7478PBF |
SMD |
N |
2.5 |
60 |
20 |
3 |
7 |
0.026 |
21 |
2.6 |
300 |
150 |
SO-8 |
| IRF7478PBF-1 |
SMD |
N |
2.5 |
60 |
20 |
3 |
7 |
0.026 |
21 |
2.6 |
300 |
150 |
SO-8 |