Транзистор IRF7524D1PBF
IRF7524D1PBF - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: Micro8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.7 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.27 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 5.4 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 130 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRF7524D1PBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRF7524D1GPBF |
SMD |
P |
1.25 |
20 |
12 |
0.7 |
1.7 |
0.27 |
5.4 |
35 |
130 |
150 |
Micro8 |