Транзистор IRF7526D1
IRF7526D1 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 7.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 180 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRF7526D1 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM3457P |
SMD |
P |
2 |
30 |
20 |
1 |
5 |
0.054 |
4.9 |
11.7 |
38 |
150 |
TSOP-6 |
| AM3463P |
SMD |
P |
2 |
60 |
20 |
1 |
2.7 |
0.18 |
4.9 |
5 |
40 |
150 |
TSOP-6 |
| IRF7526D1PBF |
SMD |
P |
1.25 |
30 |
20 |
1 |
2 |
0.2 |
7.5 |
12 |
87 |
150 |
Micro8 |
| IRLMS5703PBF |
SMD |
P |
1.7 |
30 |
20 |
1 |
2.3 |
0.2 |
7.2 |
12 |
89 |
150 |
Micro6 |
| TSM9409CS |
SMD |
P |
3 |
60 |
20 |
1 |
3.5 |
0.155 |
6 |
9 |
60 |
150 |
SOP-8 |