Транзистор IRF7663
IRF7663 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2520 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRF7663 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRF7425PBF |
SMD |
P |
2.5 |
20 |
12 |
1.2 |
15 |
0.0082 |
87 |
20 |
1480 |
150 |
SO-8 |
| IRF7425PBF-1 |
SMD |
P |
2.5 |
20 |
12 |
1.2 |
15 |
0.0082 |
87 |
20 |
1480 |
150 |
SO-8 |
| IRF7663PBF |
SMD |
P |
1.8 |
20 |
12 |
1.2 |
8.2 |
0.02 |
30 |
100 |
615 |
150 |
Micro8 |
| KRF7663 |
SMD |
P |
1.8 |
20 |
12 |
1.2 |
8.2 |
0.02 |
30 |
100 |
615 |
150 |
Micro8 |
| NTMS10P02R2 |
SMD |
P |
2.5 |
20 |
12 |
1.2 |
10 |
0.014 |
70 |
40 |
1100 |
150 |
SOP-8 |