Транзистор IRF7702GPBF
IRF7702GPBF - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSSOP-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 12 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.014 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 21 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1040 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRF7702GPBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRF7702PBF |
SMD |
P |
1.5 |
12 |
8 |
1.2 |
8 |
0.014 |
- |
21 |
1040 |
150 |
TSSOP-8 |