Справочник электронных компонентов

Транзистор IRF7703PBF

IRF7703PBF - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TSSOP-8

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.5 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 6 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.03 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 405 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 416 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRF7703PBF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IRF7703	SMD	P	1.5	40	20	3	6	0.028	-	405	416	150	TSSOP-8
IRF7703GPBF	SMD	P	1.5	40	20	3	6	0.028	-	405	416	150	TSSOP-8
KRF7703	SMD	P	1.5	40	20	3	6	0.028	41	405	416	150	TSSOP-8
SI7469DP	SMD	P	5.2	80	20	3	10.2	0.025	-	220	320	150	PowerPAKSO-8
SI7611DN	SMD	P	3.7	40	20	3	9.3	0.025	-	150	215	150	PowerPAK1212-8