Транзистор IRF7704PBF
IRF7704PBF - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSSOP-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.046 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 25 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 360 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 250 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRF7704PBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFP4637 |
SMD |
P |
2.8 |
40 |
20 |
3 |
6.8 |
0.037 |
13 |
55 |
145 |
150 |
SOP-8P |
| AFP4637W |
SMD |
P |
2.8 |
40 |
20 |
3 |
6.8 |
0.037 |
13 |
55 |
145 |
150 |
SOP-8P |
| AFP8463 |
SMD |
P |
2.8 |
40 |
20 |
3 |
6 |
0.046 |
13 |
55 |
145 |
150 |
SOT-223 |
| IRF7704GPBF |
SMD |
P |
1.5 |
40 |
20 |
3 |
4.6 |
0.046 |
25 |
360 |
250 |
150 |
TSSOP-8 |