Транзистор IRF7706GPBF
IRF7706GPBF - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSSOP-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.51 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.022 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 48 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 46 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 339 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRF7706GPBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM4407 |
SMD |
P |
3.2 |
30 |
20 |
2.5 |
12 |
0.015 |
21 |
35 |
320 |
150 |
SOP-8 |
| IRF7706PBF |
SMD |
P |
1.51 |
30 |
20 |
2.5 |
7 |
0.022 |
48 |
46 |
339 |
150 |
TSSOP-8 |
| KRF7706 |
SMD |
P |
1.51 |
30 |
20 |
2.5 |
7 |
0.022 |
48 |
46 |
339 |
150 |
TSSOP-8 |
| QM3003M3 |
SMD |
P |
1.67 |
30 |
20 |
2.5 |
7.7 |
0.02 |
12.5 |
11.2 |
194 |
150 |
PRPAK3X3 |
| QM3003S |
SMD |
P |
1.5 |
30 |
20 |
2.5 |
7.5 |
0.02 |
12.6 |
14.8 |
194 |
150 |
SOP-8 |
| QM3005S |
SMD |
P |
1.5 |
30 |
25 |
2.5 |
8.2 |
0.015 |
21.8 |
9.6 |
310 |
150 |
SOP-8 |
| SM3305PSQA |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
2.5 |
13 |
0.012 |
31 |
15 |
315 |
150 |
DFN3X3-8 |
| SM3305PSQG |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
2.5 |
13 |
0.012 |
31 |
15 |
315 |
150 |
DFN3X3-8 |
| SM3307PSQA |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
2.5 |
11 |
0.018 |
21 |
12 |
210 |
150 |
DFN3X3-8 |
| SM3307PSQG |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
2.5 |
11 |
0.018 |
21 |
12 |
210 |
150 |
DFN3X3-8 |
| STP4435 |
SMD |
P |
3.2 |
30 |
20 |
2.5 |
10 |
0.02 |
22 |
9.7 |
305 |
150 |
SOP-8 |